放大倍数：4～300,000 ×，二次电子像分辨率：3.5nm；背反射电子像分辨率：4nm ；EBSD 系统空间分辨率：0.3um，系统角度分辨率：1°。主要用于材料形貌扫描、断口分析（二次电子像），原子序数及晶体取向衬度（背反射像）晶粒大小及分布分析（EBSD 测试），织构及取向差分析（EBSD 测试） 晶界、孪晶界及 CSL 晶界分析（EBSD 测试），相鉴定及相比计算（EBSD 测试） 应变测量（EBSD 测试）